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HOME > 求人一覧 > ワイドバンドギャップ半導体デバイスエンジニア(研究員)

求人情報詳細

職種 研究職
仕事内容 ・ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウムエピ膜を用いたパワーデバイスの試作評価及び、デバイスの改善、エピ膜の問題点を特定、エピ条件の改善提案
・酸化ガリウム半導体デバイスの研究開発・試作、測定データの解析
・SBDやFETの試作、特性評価
・研究資料の作成、研究開発全般の進捗管理、研究員・補助員への指導など
必要業務経験
スキル
(資格など)
・化学または物理を専攻
・企業研究員、公的研究員、ポスドクとしての研究開発経験など
勤務地 京都市
想定年収 300~1000万円万円
その他条件 ・プロジェクト管理経験者やリーダー経験者
・新規材料の初期段階における研究開発を実施した経験
・パワーデバイスの試作・評価
・ワイドバンドギャップ半導体のデバイス化
・酸化物半導体の試作評価
・結晶成長及び結晶血管の評価
業種 製造業