| 職種 | 研究職 |
|---|---|
| 仕事内容 | ・ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウムエピ膜を用いたパワーデバイスの試作評価及び、デバイスの改善、エピ膜の問題点を特定、エピ条件の改善提案 ・酸化ガリウム半導体デバイスの研究開発・試作、測定データの解析 ・SBDやFETの試作、特性評価 ・研究資料の作成、研究開発全般の進捗管理、研究員・補助員への指導など |
| 必要業務経験 スキル （資格など） |
・化学または物理を専攻 ・企業研究員、公的研究員、ポスドクとしての研究開発経験など |
| 勤務地 | 京都市 |
| 想定年収 | ３００～１０００万円万円 |
| その他条件 | ・プロジェクト管理経験者やリーダー経験者 ・新規材料の初期段階における研究開発を実施した経験 ・パワーデバイスの試作・評価 ・ワイドバンドギャップ半導体のデバイス化 ・酸化物半導体の試作評価 ・結晶成長及び結晶血管の評価 |
| 業種 | 製造業 |